STP3NB60

STP3NB60. C(in): 400pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NB60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.