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Transistor a canale N, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NF06

Transistor a canale N, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NF06
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.24€ 1.51€
5 - 9 1.18€ 1.44€
10 - 24 1.11€ 1.35€
25 - 49 1.05€ 1.28€
50 - 99 1.03€ 1.26€
100 - 141 0.93€ 1.13€
Qnéuantità U.P
1 - 4 1.24€ 1.51€
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Transistor a canale N, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NF06. Transistor a canale N, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 200A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P55NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 03:25.

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