Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STP60NF06

STP60NF06
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STP60NF06. C(in): 1810pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 73ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Costo): 360pF. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 1812pF. Costo): 393pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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