Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48€ | 1.81€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.71€ |
10 - 24 | 1.33€ | 1.62€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 300 | 1.05€ | 1.28€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48€ | 1.81€ |
5 - 9 | 1.40€ | 1.71€ |
10 - 24 | 1.33€ | 1.62€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.34€ |
250 - 300 | 1.05€ | 1.28€ |
IRFZ44V. C(in): 1812pF. Costo): 393pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.
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