Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.01€ |
50 - 81 | 0.81€ | 0.99€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.01€ |
50 - 81 | 0.81€ | 0.99€ |
Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP3NK80Z. Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt molto elevato, per applicazioni di commutazione. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 22:25.
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