Transistor

C(in): 510pF. Costo): 47pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 4A. Marcatura sulla cassa: D4NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.76 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 600V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 545pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: 5N52K3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 525V. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo, IDSS basso. Spec info: Enhancement type. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 529pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: N. Numero di canali: 1. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 5N52U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.25 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.1 ns. Td(acceso): 11.4 ns. Tecnologia: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252-3. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 525V. Voltaggio gate/source Vgs: 30V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: Applicazioni di commutazione, carica gate ridotta al minimo. Spec info: Enhancement type. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Costo): 24.6pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 213 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 7NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.84 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. C(in): 363pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 53A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 460W. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Isolamento elettrico: 2500V (AC-RMS). Td(acceso): 46 ns. Tecnologia: PowerMesh II MOSFET. Tf (tipo): 38 ns. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). Tr: 70 ns. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: ±30V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì

C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 870pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13N80K5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 790pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F5NK100Z. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1154pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 452pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 324 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 100mA. ID (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: 9NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.63 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52.5 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 26A. Protezione GS: NINCS

C(in): 610pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: variatore di luce, relè statico, driver del motore. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 100A. Ic(T=100°C): 7A. Marcatura sulla cassa: GF10NB60SD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 1.2 ns. Td(acceso): 0.7 ns. Tecnologia: PowerMESH IGBT. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Bassa caduta di tensione (VCE(sat)). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 380pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35 ns. Funzione: Comandi motore ad alta frequenza. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Ic(T=100°C): 10A. Marcatura sulla cassa: GP10NC60KD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 17 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Tempo di tenuta al cortocircuito 10us. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2200pF. Costo): 225pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 44 ns. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 150A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: GW20NC60VD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 31 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Funzione: inverter ad alta frequenza, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2510pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35 ns. Data di produzione: 201509. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 135A. Ic(T=100°C): 30A. Marcatura sulla cassa: GW30NC120HD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 275 ns. Td(acceso): 29 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Funzione: capacità di corrente elevata, elevata impedenza di ingresso. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 4550pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Funzionamento ad alta frequenza fino a 50KHz. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marcatura sulla cassa: GW40NC60V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 43 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1350pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 600 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: transistor MOSFET di potenza veloce. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: H8NA60FI. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento . Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.75V. Vgs(esimo) min.: 2.25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Viso 4000V. Protezione GS: NINCS

C(in): 150pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4NF20L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.3W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 10.4 ns. Td(acceso): 2 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor di potenza a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: N83003. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 1000. Spec info: transistor complementare (coppia) STN93003. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 215pF. Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN a commutazione rapida a bassa tensione. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.32V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 1000. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condizionamento: rotolo. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: N9260. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 150 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 7V. Funzione: Transistor di potenza PNP ad alta tensione a commutazione rapida. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor di potenza a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: N93003. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 1000. Spec info: transistor complementare (coppia) STN83003. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 5955pF. Costo): 244pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 38 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: 100N8F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 176W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 103 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 80V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS