Transistor

C(in): 750pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 22.8A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 08N50C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 560V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protezione GS: NINCS

C(in): 215pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: SPD09N05. Pd (dissipazione di potenza, massima): 24W. Rds sulla resistenza attiva: 0.093 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

C(in): 790pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 32 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 112A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: 28N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.6V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 06N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 30pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 750 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Data di produzione: 2015/05. Id(imp): 14.6A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Protezione GS: NINCS

C(in): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: 08N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. Rds sulla resistenza attiva: 0.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO220-3. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Funzione: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 10N10. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 426pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 11N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1460pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 650ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: 11N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 130 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Funzione: ID pulse 33A. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: SPP17N80C2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 230pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. Protezione GS: diodo. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 18P06P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 81W. Rds sulla resistenza attiva: 0.102 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

C(in): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 62.1A. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 67 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3000pF. Costo): 1170pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 610 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 20N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 4.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N06L11. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 68 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 158W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 77 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N60C3. Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.9V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 208W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 20A. Potenza: 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Alloggiamento: PG-TO247 HV. Tensione drain-source (Vds): 600V