SPP06N80C3

SPP06N80C3. C(in): 785pF. Costo): 33pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 06N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.