SPD09N05

SPD09N05. C(in): 215pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: SPD09N05. Pd (dissipazione di potenza, massima): 24W. Rds sulla resistenza attiva: 0.093 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.