SPD28N03L

SPD28N03L. C(in): 790pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 32 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 112A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: 28N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.6V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.