SPP08P06P

SPP08P06P. C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO220-3. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Funzione: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.