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SPP08N80C3

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SPP08N80C3. C(in): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: 08N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. Rds sulla resistenza attiva: 0.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

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SPP11N80C3

SPP11N80C3

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A....
SPP11N80C3
Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Funzione: ID pulse 33A. Quantità per scatola: 1
SPP11N80C3
Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Funzione: ID pulse 33A. Quantità per scatola: 1
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FQP9N90C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. ...
FQP9N90C
Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 205W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 900V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 45 nC, Crss basso 14 pF
FQP9N90C
Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 205W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 900V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 45 nC, Crss basso 14 pF
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DSC226M050S1ACC11K
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FQPF10N20C

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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. ...
FQPF10N20C
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Tipo di canale: N-P. Funzione: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipaz...
AO4600
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Quantità in magazzino : 46
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