Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.00€ | 3.66€ |
5 - 9 | 2.85€ | 3.48€ |
10 - 24 | 2.70€ | 3.29€ |
25 - 49 | 2.55€ | 3.11€ |
50 - 54 | 2.49€ | 3.04€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.00€ | 3.66€ |
5 - 9 | 2.85€ | 3.48€ |
10 - 24 | 2.70€ | 3.29€ |
25 - 49 | 2.55€ | 3.11€ |
50 - 54 | 2.49€ | 3.04€ |
SPP08N80C3. C(in): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: 08N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. Rds sulla resistenza attiva: 0.56 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.
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