Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQP9N90C

FQP9N90C
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FQP9N90C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 205W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 900V. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 45 nC, Crss basso 14 pF. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 15:25.

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C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (mi...
STP9NK90Z
C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
STP9NK90Z
C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
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