Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP11N80C3

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP11N80C3
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5 - 9 4.86€ 5.93€
10 - 24 4.71€ 5.75€
25 - 32 4.50€ 5.49€
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Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP11N80C3. Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.

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SPA11N80C3

SPA11N80C3

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1...
SPA11N80C3
Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
SPA11N80C3
Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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SPW11N80C3

SPW11N80C3

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T...
SPW11N80C3
Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V
SPW11N80C3
Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V
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SPP11N80C3
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SPP11N80C3
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SPA11N80C3

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SPA11N80C3
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SPA11N80C3
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BTA40-600B
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MX-25302

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NCP1203D60R2G
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DAC0808LCN
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STP6NK60Z

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STP6NK60Z
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