Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPP11N80C3

SPP11N80C3
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1 - 4 5.12€ 6.25€
5 - 9 4.86€ 5.93€
10 - 24 4.60€ 5.61€
25 - 32 4.35€ 5.31€
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SPP11N80C3. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 11A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 800V. Funzione: ID pulse 33A. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.

Documentazione tecnica

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SPA11N80C3

SPA11N80C3

C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
SPA11N80C3
C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
SPA11N80C3
C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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SPW11N80C3

SPW11N80C3

C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
SPW11N80C3
C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
SPW11N80C3
C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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NCP1203D60R2G

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