SPP20N60C3

SPP20N60C3. C(in): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 62.1A. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 20N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 67 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO220-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.