Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Costo): 9pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 1.5A. Marcatura sulla cassa: S8050 C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza BE: 4. Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Spec info: eccellente linearità hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 95pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Spec info: eccellente linearità hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Costo): 28pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 96. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: eccellente linearità hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.45W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 1750pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 440 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 415 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P1. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: 13005A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 16. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 13007A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Resistenza BE: 50. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 12A. Marcatura sulla cassa: ST13009L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Funzione: hFE 15...28. Quantità per scatola: 1. Spec info: ST13009L. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Costo): 122pF. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 3850pF. Costo): 650pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 120N4F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: Applicazioni di commutazione, Automotive. Protezione GS: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: Amplificatore di media potenza. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) STD1862

C(in): 940pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 340 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: B12NM50N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 550V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 850pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 122 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: B12NM50ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 550V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: MOSFET di potenza FDmesh™ II (con diodo veloce). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 470pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D10NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 540pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.53 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 340pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10P6F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 64 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 790pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50mA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 75. Protezione GS: sì

C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50mA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2000. Protezione GS: sì

C(in): 310pF. Costo): 49pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 260 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 3A. Marcatura sulla cassa: D4NK50Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 500V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì