SSS10N60A

SSS10N60A. C(in): 1750pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 440 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.