STB12NM50N

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STB12NM50N. C(in): 940pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 340 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: B12NM50N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 550V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

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