STB12NM50ND

STB12NM50ND. C(in): 850pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 122 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: B12NM50ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 550V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: MOSFET di potenza FDmesh™ II (con diodo veloce). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.