STB120N4F6

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	2.67€	3.26€
5 - 9	2.54€	3.10€
10 - 24	2.40€	2.93€
25 - 49	2.27€	2.77€
50 - 99	2.22€	2.71€
100 - 249	2.02€	2.46€
250 - 293	1.92€	2.34€

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STB120N4F6. C(in): 3850pF. Costo): 650pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 120N4F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: Applicazioni di commutazione, Automotive. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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