SS8050CTA
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
| 10 - 24 | 0.30€ | 0.37€ |
| 25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
| 50 - 99 | 0.27€ | 0.33€ |
| 100 - 213 | 0.26€ | 0.32€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
| 10 - 24 | 0.30€ | 0.37€ |
| 25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
| 50 - 99 | 0.27€ | 0.33€ |
| 100 - 213 | 0.26€ | 0.32€ |
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SS8050CTA. Costo): 9pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 1.5A. Marcatura sulla cassa: S8050 C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.
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Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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