Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC3856

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2SC3856. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: C3856. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1492. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Costo): 250pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC3263
Costo): 250pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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