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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V - 2SA1294

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V - 2SA1294
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V - 2SA1294. Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 19:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tf(massimo): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tf(massimo): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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