Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SA1294

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2SA1294. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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2SA1294-SKN

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2SA1294-SKN
Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tf(massimo): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tf(massimo): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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209-32506

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Nota: U87C51HB...
209-32506
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