2SA1015GR

2SA1015GR. Costo): 4pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92, 2-5F1B. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1162. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.