STD10NF10

STD10NF10. C(in): 470pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D10NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.