Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STD10P6F6

STD10P6F6
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25 - 49 0.90€ 1.10€
50 - 99 0.88€ 1.07€
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STD10P6F6. C(in): 340pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10P6F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 64 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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NTD2955T4

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C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min...
NTD2955T4
C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Funzione: ID pulse 36A/10ms. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
NTD2955T4
C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Funzione: ID pulse 36A/10ms. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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FDD5614P

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RoHS: sì. C(in): 759pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità ...
FDD5614P
RoHS: sì. C(in): 759pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD5614P. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS
FDD5614P
RoHS: sì. C(in): 759pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD5614P. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS
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