IRLR8721

IRLR8721. C(in): 1030pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 6.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9.4 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: Impedenza di gate ultrabassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 02:25.