FDD8878

FDD8878. C(in): 880pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 23 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.