NTD2955-1G

NTD2955-1G. C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.