SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.