Transistor

C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione con diodo Zener. Protezione GS: sì

C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK80ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P10NK80ZFP. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 65 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1250pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 42.8A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Viso 2000VDC. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P11NK40Z. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 930pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 110W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS

C(in): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione GS: NINCS

C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 612 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P11NM80. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

C(in): 5200pF. Costo): 785pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 152 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P120NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 132 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P12NM50. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 550V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione GS: NINCS

C(in): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P12NM50FP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 550V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 790pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protezione GS: NINCS

C(in): 460pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P14NF12. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 120V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2000pF. Costo): 238pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P14NK50ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Protezione con diodo Zener. Protezione GS: sì

C(in): 315pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P16NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 7 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Eccezionale capacità dv/dt, basso costo di gate. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 345pF. Costo): 72pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protezione GS: NINCS

C(in): 5100pF. Costo): 1270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 200N4F3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione, applicazioni automobilistiche. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGHdv/dtCAP. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: II Power Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 1. Nota: Low Gate Charge

C(in): 1300pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P20NM60FD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 192W. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Bassa capacità di gate. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1500pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P20NM60FP. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: MDmesh™ MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 870pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 100us. Tensione di soglia del diodo: 1.5V. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P24NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1800pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 26NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.135 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS