STP10NK80Z

STP10NK80Z. C(in): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 645 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.78 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Protezione con diodo Zener. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.