Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STP16NF06L

STP16NF06L
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STP16NF06L. C(in): 345pF. Costo): 72pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS
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