STP12NM50

STP12NM50. C(in): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P12NM50. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio Vds(max): 550V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.