STP26NM60N

STP26NM60N. C(in): 1800pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 26NM60N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.135 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.