STP13NM60N

STP13NM60N. C(in): 790pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.