Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STP11NB40FP

STP11NB40FP
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STP11NB40FP. C(in): 1250pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 42.8A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Viso 2000VDC. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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IRFI740GLC

IRFI740GLC

C(in): 1100pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns....
IRFI740GLC
C(in): 1100pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Nota: Viso 2500V. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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FQPF8N60C

FQPF8N60C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-2...
FQPF8N60C
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQPF8N60C. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 45 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1255pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 81 ns. Td(acceso): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1
FQPF8N60C
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQPF8N60C. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 45 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1255pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 81 ns. Td(acceso): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1
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IRFS740

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C(in): 1500pF. Costo): 178pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
IRFS740
C(in): 1500pF. Costo): 178pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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