Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

S1M

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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 0.66€ 0.81€
2 - 2 0.63€ 0.77€
3 - 4 0.59€ 0.72€
5 - 9 0.56€ 0.68€
10 - 24 0.53€ 0.65€
25 - 49 0.48€ 0.59€
50 - 2634 0.44€ 0.54€
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Set da 10

S1M. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Ifsm [A]: 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 02:25.

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S1M-FAI

S1M-FAI

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA ...
S1M-FAI
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS
S1M-FAI
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS
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CHV470PF2600V

CHV470PF2600V

Capacità: 470pF. Diametro: 9mm. Tipo: Y2. Tensione di picco: 2600V. Voltaggio: 2600V. Tipo di conde...
CHV470PF2600V
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CHV470PF2600V
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1N4937

1N4937

Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
1N4937
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1N4937
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LL4148-TSC

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Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica):...
LL4148-TSC
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STP4NK60Z

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Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25Â...
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1N4148

1N4148

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda ...
1N4148
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LM317T-ONS

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Corrente di uscita: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Fisso/re...
LM317T-ONS
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LM317T-ONS
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FQPF5N50C

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Transistor a canale N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (...
FQPF5N50C
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Quantità in magazzino : 121
IR2153S

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Nota: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: c...
IR2153S
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3.46€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 914
Z0107MA

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IT(RSM) (TC=85°C): 1A. È M: 8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. VD...
Z0107MA
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Z0107MA
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