Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQPF8N60C

FQPF8N60C
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FQPF8N60C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQPF8N60C. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 45 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1255pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 81 ns. Td(acceso): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 690 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data di produzione: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59W. Rds sulla resistenza attiva: 1.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Protezione GS: NINCS
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