FQPF8N80C

FQPF8N80C. C(in): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 690 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data di produzione: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59W. Rds sulla resistenza attiva: 1.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.