STP20NM60FD

STP20NM60FD. C(in): 1300pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P20NM60FD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 192W. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Bassa capacità di gate. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.