STP120NF10

STP120NF10. C(in): 5200pF. Costo): 785pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 152 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P120NF10. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 132 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.