STP200N4F3

STP200N4F3. C(in): 5100pF. Costo): 1270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 200N4F3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione, applicazioni automobilistiche. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.