Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.34€ | 4.07€ |
5 - 9 | 3.17€ | 3.87€ |
10 - 24 | 3.00€ | 3.66€ |
25 - 49 | 2.84€ | 3.46€ |
50 - 66 | 2.77€ | 3.38€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.34€ | 4.07€ |
5 - 9 | 3.17€ | 3.87€ |
10 - 24 | 3.00€ | 3.66€ |
25 - 49 | 2.84€ | 3.46€ |
50 - 66 | 2.77€ | 3.38€ |
STP11NM60ND. C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.