Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STB1277Y

STB1277Y
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STB1277Y. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: Amplificatore di media potenza. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) STD1862. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: 9mm. Corrente de...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: 9mm. Corrente del collettore: 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277
KSA928A-Y
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: 9mm. Corrente del collettore: 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277
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