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IRF1010E

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	1.86€	2.27€
5 - 9	1.76€	2.15€
10 - 24	1.67€	2.04€
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Qnéuantità	U.P
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10 - 24	1.67€	2.04€
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Set da 1

IRF1010E. C(in): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, resistenza allo stato di conduzione ultra bassa. Id(imp): 330A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

Documentazione tecnica

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IRF1010E

C(in): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. ...

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