IXFH26N60Q

IXFH26N60Q. C(in): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.