IRF3710

IRF3710. C(in): 3230pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 23m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.