Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRF1010N

IRF1010N
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IRF1010N. C(in): 3210pF. Costo): 690pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.11 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Utilizzato per: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. ...
IRF1010E
C(in): 2800pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, resistenza allo stato di conduzione ultra bassa. Id(imp): 330A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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