Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.60€ | 3.17€ |
5 - 9 | 2.47€ | 3.01€ |
10 - 24 | 2.34€ | 2.85€ |
25 - 49 | 2.21€ | 2.70€ |
50 - 99 | 2.16€ | 2.64€ |
100 - 119 | 1.95€ | 2.38€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.60€ | 3.17€ |
5 - 9 | 2.47€ | 3.01€ |
10 - 24 | 2.34€ | 2.85€ |
25 - 49 | 2.21€ | 2.70€ |
50 - 99 | 2.16€ | 2.64€ |
100 - 119 | 1.95€ | 2.38€ |
Transistor a canale N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405. Transistor a canale N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5480pF. Costo): 1210pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 88 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 02:25.
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